Diyodun doğru akım altında gösterdiği direnç değerine “statik direnç” denir.
RStatik = VD / ID
Şekildeki devrede direnç ve diyot seri bağlı olduğundan ID=IR dir.
Devredeki direncin küçültülmesiyle ID değeri artacağından formüle göre VD gerilimi azalacaktır.
VD nin azalması da VR nin artmasına neden olur.
Ancak silisyum diyotlar için doğru polarma altında VD değeri teorik olarak 0,6 ila 0,7V alınır.
Eklediğiniz tablodan da anlaşılacağı üzere VD değeri ID akımı ile kıyaslandığında çok büyük bir değişiklik göstermemektedir.
Bu nedenle VD 0,6Volt olarak kabul edilip küsüratı ihmal edilebilir.
Umarım anlatabilmişimdir.