koyacagım diode gate sinyali için dimi ? gate sinyalleri 120 ns da Vgs=12 ye cıkıyor. 110 nanosaniye de sıfıra iniyor. gate sinyallerinin bunu yapması fetin iletime geçmesinden cok daha hızlı kesime geçtiğini göstermez mi ? diğer bir soru dead time 1 us den fazla dolayısı ile gateler 110 saniyede sıfıra iniyor.
npn-pnp transistorlerle sürüyorum fetin gatelerini. gate sinyalleri gayet güzel gözüküyor. 120 nano saniye on 110 nano saniye off oluyorlar.
koyacağın hızlı diyot gate i daha hızlı deşarj etmek için. Bu da mosfetin kapanma hızını arttırır. Ne kadarlık direnç var ? Dirençler yüksek değil dimi ? gate dirençleri ? Aslında senin açılma ve kapanma hızlı biraz fazla olmuş. Normalde bunlar 40ns ile 80ns arasında olmalı diyebilirim. En azından kitapta böle görmüştüm. Gate sinyallerinin grafiği ile VDS nin aynı olmayabilir. VDS daha yavaş olabiliyor zaman zaman. Bunun nedeni dediğim gibi mosfetteki kapasitanslar dolayı olabilir. Direnç değerini düşürmen gerekebilir.