1. MOSFET lerin Tipi: N-kanal veya P-kanal olabilir. N-kanal MOSFET'ler, (Transistörlerdeki Baz) Gate bacağı pozitif bir gerilim uygulandığında iletim yapar; P-kanal MOSFET'ler ise Gate'i negatif bir gerilim uygulandığında iletim yapar.
2. Maximum Drain-Source Voltage (VDS): Bu, drain ve source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve MOSFET'i zarar görmeksizin çalıştırır.
3. Maximum Gate-Source Voltage (VGS): Gate ve Source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve mosfetin zarar görmemesini sağlar.
4. Threshold Voltage (Vth): Bu, MOSFET'in iletken hale geçtiği Gate-Source gerilimidir. Bu gerilimin altında, MOSFET genellikle kapalı konumdadır.
5. Gate-Source Threshold Voltage Range: Bu, MOSFET'in kapalıdan açık duruma geçtiği aralığı belirtir. MOSFET'ler için, iletken hale geçmeye başladığı yerdir.
6. On-State Drain Current (ID(on)): MOSFET tamamen açık durumdayken akabilecek maksimum akımdır.
7. Drain-Source On-State Resistance (RDS(on)): Bu, MOSFET tamamen iletken olduğunda Drain ve Source terminalleri arasındaki dirençtir. Düşük RDS(on) değerleri daha iyi iletkenlik ve daha az güç kaybı anlamına gelir.
8. Gate Charge (Qg): MOSFET'in kapalıdan açığa veya tersi duruma geçmesi için gereken
Elektrik şarj (Q) miktarıdır. Düşük Gate şarjı genellikle daha yüksek anahtarlama hızları anlamına gelir.
9. Total Gate Charge (Qg(total)): Bu, MOSFET'in anahtarlama için gereken toplam şarjı (Q) ifade eder ve Gate-Source ve Gate-Drain şarjlarını içerir.
10. Input Capacitance (Ciss): Bu, MOSFET'in giriş terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve Gate gerilimindeki değişimlere yanıt verme süresini etkiler.
11. Output Capacitance (Coss): Bu, çıkış terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve anahtarlama hızlarını ve genel performansı etkiler.