Ayaklardaki minimum voltaja ihtiyaç yoktur. Maksimum voltajlar önemlidir.
drain to gate voltage demek drain ile gate arasındaki izin verilen en büyük voltaj demektir.
Mosfette benim baktığım parametreler şunlar.
Rds: drain source arasındaki minimum direnç
Vds: Drain source arasındaki maksimum voltaj.
Id : drain akımı
total power dissipation: maksimum güç harcaması.
gate treshold voltage: Drain akımının akmaya başladığı Gate source gerilimi. Bu gerilimin altnda Id=0 dır.
input capacitance: giriş kapasitesi, düşük olması iyi, mosfet kolay sürülür anahtarlama kayıpları azalır.
alttaki süreler ne kadar azsa o kadar iyi. Çünkü rise ve fall geçişlerde yani nano sn mertebelerinde mosfet üzerinde çok büyük güç harcanır. Yüksek frekanslı uygulamalarda önemli.
turn on delay time: Gate voltajı 0 iken 10 volt olduğunda mosfet bu kadar ns. afallar.
rise time: kesimden iletime geçerken geçen süre ns. (nano sn) (eğim şeklinde)
turn of delay time: gate voltajı 10 volt iken sıfıra düştüğü halde mosfet bu kadar ns. akım akıtmaya (afallama) devam eder.
fall time: iletimden kesime geçerken geçen süre ns. (eğim şeklinde)
Gate charge: birimi nano coulomb. Ne kadar düşükse mosfet yüksek frekansta iyi çalışır.