İndüksiyon ısıtma devresi modifiye

0M42

Katılımcı Üye
Katılım
11 Eyl 2009
Mesajlar
595
Puanları
56
Arkadaşlar aşağıdaki devreyi yaptım sorunsuz bir şekilde çalışıyor bu haliyle 500 watt güç alabiliyorum devreden.

Sizlere sormak istediğim bu devreyi tek transistör ile çalıştırabilir miyim?



Aşağıdaki gibi bir çizim yaptım fakat denemedim.Sizce bu çizim çalışır mı? Yada tek mosfet ile çalıştırabilmek için ne yapmak lazım yardımcı olursanız çok sevinirim.

 
Zaten driverin iki çıkışını da aynı mosfete girmişsin. Driverin anlamı kalmamış Mosfet hep acik. Temel şeyler gözden kaçırılmış High Side low Side driver kullanamazsin bu şekilde. Yukarıdaki gibi half bridge kurman gerekir ki driver High Side Mosfet için yüksek gate voltajı uretebilsin. Ya da normal bı driver ile tek mosfeti low Side calistirman lazim
 
Teşekkür ederim sürücünün hig ve low çıkışını dirençle birleştirip tek mosfete girmeyi aşağıdaki sürücü şemasından esinlenmiştim ;



Ayrıca aşağıdaki devre ile direk tek mosfet sürebilirmiyim?



Kare ve üçgen sinyal oluşturuyor devreyi proteusta çalıştırıyorum osiloskop görüntüsü şu şekilde;



Yoksa çıkışına birde sürücümü eklemeliyim yani osilatör-sürücü-güç katı şeklinde mi olmalı?

Ve son olarak böyle bir devrede aynı frekans aynı güçte soğutucu üzerine tek mosfet ile mi daha fazla ısı düşer çift mosfet ile mi?

Teşekkür ederim.
 
Ncp81074 zaten low Side driver. Driverlarda 2 çıkış birleştirilip kullanılabilir ya da farklı dirençler takılarak mosfeti açma hızı ve kapama hızı ayrı ayrı ayarlanabilir. Ornegin 100us de açılır 300us de kapanır. yani orada doğru kullanilmiş
O devreye driver da lazım çünkü aç kapa işi yüksek akım gerektiriyor. Tc4420 gibi bir driver gerekir
İki mosfetin görevi o devrede akımı paylaşıp az ısınmak değil. Çok ısınan bir Mosfet doğru seçilmemiş demektir, daha uygunuyla değiştirilir veya 2-3 paralel Mosfet yapılır.
 
Son düzenleme:
Peki low side nedir nasıl çalışıyor high side nedir nasıl çalışıyor? Bunları öğrenebilmem bildiklerimi pekiştirebilmem için nelere yönelmem lazım hangi konuları öğrenmem lazım bana bu konuda yol gösterebilirmisiniz?

Bu açılma ve kapanma süreleri neye göre değişiyor hangi durumlarda açılma süresi uzun tutulur hangi durumlarda kapanma süresi uzun tutulur?
 
Yük + ya direkt bağlı ve - uçtan aç kapa yapılıyorsa low Side Mosfet ile yaparsın. Yok yük - ye direkt bağlı ve + uçtan aç kapa yapıyorsan High Side Mosfet bağlantısı olur. Bu durumda mesela yük için 100v gerekiyorsa mosfeti sürmek için 110 volt gerekir. Etrafta 110 volt yok, maksimum 100 var. O zaman High Side driver gerekir ki o kapasitör diyot yardımıyla gereken 110voltu üretir ve bununla High Side mosfeti sürer. Basit denemelerle pekiştirebilirsin, yükü bir + ya direkt bağla ve dene bı de - ye direkt bağla ve dene. Gate bacağına bi kablo ile + ver ve sonuçlara bak
 
500w alabiliyosanız neden mosfeti iptal ediyosunuz ki. Zaten 500w bi indüksiyon için çok düşük bir güç. Bende indüksiyon yapmak istiyorum ama bu devre değil. Benim yapmak istediğim de de 2 mosfet kullanılmış ve 2 kw güç çekiyor yarım köprüde. Tam köprüye çevirirsem 4kw güç çekmeyi düşünüyorum 4 mosfetle. Senin bu devrede yarım köprü 2 mosfet daha ekleyeceğine mosfeti kaldırıyorsun. Olmaz.

Arkadaşlar bi sorum olcak. Mosfet sürücülerle igbt sürülür mü? Mosfet collector-gate-drain bacakları var igbt de ise collector-gate-emiter. Mosfetin drain bacağına girdik isek igbt de emitere mi gireceğiz
 
Son düzenleme:
Tabi ki.ayni mantık
Mosfeti söktüğün aynı yere igbt takabilirsin, bacaklar o şekilde karşılık gelir.
 
Son düzenleme:
Bu siteyi kullanmak için çerezler gereklidir. Siteyi kullanmaya devam etmek için onları kabul etmelisiniz. Daha fazla bilgi edin…