Induksiyon Isıtıcısında Mikrokontroller kullanma

Yok yok soğuma aksine bence daha da hırs yap

N kanal mosfet iletim bölgesi 5v ile 20v aralığıdır. (Genel olarak tabi mosfete göre değişebilir)
P kanal da ise bu bölge -5v ile -20v aralığıdır.

sen kare dalga sinyali uyguladığında transistör bunu hızlı ve keskin (fale time) şekilde çıkışını 0 a doğru çeker. p kanal iletimde, sonra sinyalin 0 olunca transistör iletimden çıkarken drinç üzerinden gate lere + polarite uygulanır. ama bu sinyalin yükselme hızı düşüktür (rise time) yani bu sinyal dik bir açıdan ziyade üçgen şeklinde yükselir bu yükselme pratikte osiloskopla deneyim li biri tarafından gözlenip değerlendirilebilinir. simülatör de ise (Proteus vb) bunu görmek için yükselme kenarına oldukça derin bir zoom yapmak gerekir. ve bu yükselme anında örneğin gerilim uygulamış olduğun gerilimin yarısı olsun

devreye 12v vermiş isen yani 6v anında olan şudur bu gerilim seviyesi 2 mosfet içinde iletim gerilimi sınırları içindedir. yani 2 mosfette belki kısa bir an ama kısa devrede demektir. akım alır başını gider (mosfetlerin o andaki rds on direncine bağlı olarak ve güç kaynağının gücüne bağlı olarak) sonuç mosfetler ısıtıcı gibi davranır hatta kısa süre içinde yanar hatta ilk çalışmada bile direk yanabilir.(gerilime ve akıma bağlı olarak)

bunu önlemek için "pwm death time" kelimesini araştır, fikir verecektir.

serkank' Alıntı:

:S Tam olarak Sorun ne burdaki ? birisi N kanal , Diğeri ise P kanal çakışmazlar sanıyordum?.
inat yaptım aslında ama iyicede soğıudum bu işten

Genişletmek için tıkla ...

İsm@il arkadaşın açıkladığı gibi MOS larda gate-source arası gerilim 20 V a kadar çıkabilir. MOS un iletim anındaki direnci gate-source gerilimine bağlıdır. ve MOS un gate bacağı da bir kondansatör gibi davranır. Anahtarlama anında bu kondansatör yeterince yüksek bir gerilim seviyesinde çok hızlı doldurulup boşaltılmalı. Aksi durumda anahtarlamadan kaynaklı ısı sorunları çıkar.

P ve N kanal mosların gate polaritelerinin ters olduğunu düşünerek tek bir kaynaktan anahtarlıyorsun, tamam ama çoğu MOS un iletime geçme süresi kesime gitme süresinden kısadır. Bunun anlamı anahtarlama anında, nispeten yüksek iletim direnci ile de olsa kısa bir süre hem alt hemde üst MOS un açık olacağıdır. Çözümü de söylendiği gibi bir dead-time eklemektir.
Dead-time eklemek için de her iki mosun ayrı ayrı sürülmesi gerekir.

MOS ların hızlı anahtarlanması için de bir mos sürücü kullanman gerekir. Örnek olarak TC427-428-4428-4427 gibi mos sürücüleri kullanabilirsin. Dead-time olayını da kendi içerisinde halleden mos sürücüler de var. bu tip sürücüler genelde boost çalışırlar ve tüm mosları N kanal isterler.

Mos sürücü kullanmak istemezsen mosları logic-level denen cinsten seçebilirsin. Nedenini kondansatör şarj-deşarj eğrilerinde görebilirsin.
Aslında elinde gate voltajı için max 10V varsa, mos sürücü kullansan bile yine de mosları logic-level seçmek iyidir.

Dead time için software ile uğraşmak istemezsen, pull-up direcinden sonra her bir mos için transistörün kollektörü ile gate arasına bir direnç ve dirence paralel ve N mos için katodu transistöre bakan, P mos için de katodu mos'a bakan bir diyot ekleyebilirsin. 4148 olabilir. shottky daha da iyi olur, sadece hızından değil iletim voltajından dolayı da. Ama bu çözüm eklenen direnc nedeniyle iletime geçme süresini arttırır.

Sonuç olarak basitlik açısından tc4428 gibi bir sürücü ile mosları logic level kullanmak sorununu çözer görünüyor.
Dead time için gate dirençlerine paralel diyot kullanmak tan daha iyisi ise dead-time'ı software ile sağlayıp gate dirençlerini olabildiğince düşük kullanmak.

İleride besleme voltajını 20V üzerinde kullanmayı düşünüyorsan mos sürücü olarak şimdiden HIP408X (80V a kadar) veya IR 21XX serisinden bir sürücü de seçebilirsin.

Arkadaşlar teşşekür ederim .

Pazar günü boş vaktimde Tekrardan denicem. Elimdeki malzemelerde IR2112 vardı Dün internette aratınca gördüm, Sanırım Bu uygun bu iş için.