- Katılım
- 3 Nis 2009
- Mesajlar
- 231
- Puanları
- 106
- Yaş
- 41
ROHM ve TSMC Arasında GaN Teknolojisi Lisans Anlaşması
Japon yarı iletken üreticisi ROHM, Tayvan merkezli dünya devi TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ile GaN (galyum nitrür) güç yarı iletken üretim teknolojisinin lisanslanması konusunda önemli bir anlaşma imzaladı. Bu adım, yalnızca iki şirket arasındaki işbirliğini derinleştirmekle kalmıyor; aynı zamanda genişleyen GaN pazarının stratejik geleceğini de şekillendiriyor.
GaN (Gallium Nitride), geleneksel silikona kıyasla çok daha yüksek verimlilik, yüksek frekans ve yüksek voltaj dayanımı sağlayan bir “geniş bant aralıklı” (wide bandgap) yarı iletken malzemedir. Bu özellikleri sayesinde GaN:
✔ Enerji verimliliğini artırır
✔ Boyut ve ısı kaybını azaltır
✔ Yüksek hızlı anahtarlama ve güç uygulamalarında silikonu geride bırakır
ROHM’un açıklamasına göre:
TSMC’nin GaN üretim süreç teknolojisi lisanslanacak ve bu teknoloji ROHM’un Hamamatsu’daki üretimine entegre edilecek.
ROHM, halihazırda Hamamatsu’da 150V GaN cihazları üretiyor; TSMC’den de 650V teknoloji süreçleri kullanıyor. Bu lisans ise bu entegrasyonu çok daha ileriye taşıyacak.
Anlaşmanın hedefi, 2027 yılına kadar ROHM’un kendi bünyesinde tam kapsamlı GaN üretim hattını kurmak ve TSMC’nin süreç teknolojisinden yararlanarak kapasiteyi artırmak.
Bu, ROHM’un sadece kendi üretimini genişletmekle kalmayacağı; aynı zamanda tedarik zinciri bağımsızlığı kazanacağı anlamına geliyor.
Japon yarı iletken üreticisi ROHM, Tayvan merkezli dünya devi TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ile GaN (galyum nitrür) güç yarı iletken üretim teknolojisinin lisanslanması konusunda önemli bir anlaşma imzaladı. Bu adım, yalnızca iki şirket arasındaki işbirliğini derinleştirmekle kalmıyor; aynı zamanda genişleyen GaN pazarının stratejik geleceğini de şekillendiriyor.
GaN (Gallium Nitride), geleneksel silikona kıyasla çok daha yüksek verimlilik, yüksek frekans ve yüksek voltaj dayanımı sağlayan bir “geniş bant aralıklı” (wide bandgap) yarı iletken malzemedir. Bu özellikleri sayesinde GaN:
✔ Enerji verimliliğini artırır
✔ Boyut ve ısı kaybını azaltır
✔ Yüksek hızlı anahtarlama ve güç uygulamalarında silikonu geride bırakır
ROHM’un açıklamasına göre:
TSMC’nin GaN üretim süreç teknolojisi lisanslanacak ve bu teknoloji ROHM’un Hamamatsu’daki üretimine entegre edilecek.
ROHM, halihazırda Hamamatsu’da 150V GaN cihazları üretiyor; TSMC’den de 650V teknoloji süreçleri kullanıyor. Bu lisans ise bu entegrasyonu çok daha ileriye taşıyacak.
Anlaşmanın hedefi, 2027 yılına kadar ROHM’un kendi bünyesinde tam kapsamlı GaN üretim hattını kurmak ve TSMC’nin süreç teknolojisinden yararlanarak kapasiteyi artırmak.
Bu, ROHM’un sadece kendi üretimini genişletmekle kalmayacağı; aynı zamanda tedarik zinciri bağımsızlığı kazanacağı anlamına geliyor.
