Sürülmeleri için gerekli gate voltajları, gerekli voltaj verildiğinde iletime geçme süreleri, rds on denilen full iletim halindeki dirençleri, her ne kadar voltaj la iletime geçselerde belirli sürede gatelerinin sürmek için çekecekleri akımı belirleyen Qg denilen (total gate charge) gibi özellikler, hangi sıcaklıklarda çalışabilecekleri, o sıcaklıkta akıtabilecekleri akımları, üzerinden havaya veya bir metale ısıyı atabilme kabiliyetleri ..... gibi voltaj ve akım farklılıklarının yanında sayılabilir.
Mesela Qg i yüksek ise sürme anında daha fazla akım gerekir ona göre sürücü devre lazım gibi. buda ekstra kompenent ve yer gerektirir gibi.
Yada Rds değeri yüksek olanlar üzerinde daha fazla kayıp olur gibi (IxIxRds on)
gibi. daha ucuz olur ama verimsiz. düşük rds on pahalı ama daha verimli , daha küçük bir sogutucu gerektirir gibi.
seçilecek mosfet voltajına, akımına, takılacagı baskı devredeki yere, sürücü devreye, maaliyet performans kriterine göre,...... çeşitli kriterlerle seçilir.
http://www.nxp.com/documents/application_note/AN11158.pdf
http://www.ti.com/lit/ml/slup170/slup170.pdf
http://www.infineon.com/dgdl/Infineon - Application Note - OptiMOS Power MOSFET Datasheet Explanation - English.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115939eb6b506db&fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4
https://www.btipnow.com/library/white_papers/MOSFET Power Losses Calculation Using the Data-Sheet Parameters.pdf
işinize yararyacağını umuyorum.