Yüksek güçlü mosfetler

[0M42]

Merhaba, endüstriyel bir devrede IXFK94N50P2 ve FDL100N50F mosfetler kullanmaktayım bu mosfetler kağıt üzerinde 1300 - 2500 watt güç vermekte.Bu mosfetlerin yerine daha güçlü mosfetler kullanabilirmiyim arkadaşlar? Minumum 4000 watt yada daha yukarısı.

Tek başına bu kadar yüksek watt veren mosfetler varmı? Kılıfı önemli değil.

 

[kesmez]

mosfetlerden daha güçlü dc uygulamalarda genelde igbt ler kullanılır. yeni teknoloji sic (silikon karbid di heralde) olanları daha iyidir. igbt leride tıpkı mosfet gibi sürebilirsiniz.
https://www.mouser.com.tr/Semicondu...e6Z1yw78ij&Ns=Id+-+Continuous+Drain+Current|1

 

[silvestir]

Kağıt üzerinde 1300w 2500w dediğin değerler power dissipation. Yani mosfetin ısınarak atabilecek güç. Aldığın güç değil. Tabi bunun için sonsuz büyüklükte soğutucu gerekir

 

[kesmez]

Merhaba, endüstriyel bir devrede IXFK94N50P2 ve FDL100N50F mosfetler kullanmaktayım bu mosfetler kağıt üzerinde 1300 - 2500 watt güç vermekte.Bu mosfetlerin yerine daha güçlü mosfetler kullanabilirmiyim arkadaşlar? Minumum 4000 watt yada daha yukarısı.

Tek başına bu kadar yüksek watt veren mosfetler varmı? Kılıfı önemli değil.

siz bu transistörleri elektronik yüktemi kullanıyorsunuz. elektronik yük haricinde güç harcamasının yüksek olmasının çok önemi yok zaten.

 

[0M42]

Kağıt üzerinde 1300w 2500w dediğin değerler power dissipation. Yani mosfetin ısınarak atabilecek güç. Aldığın güç değil.

Sayın silvestir rica etsem bu kısmı biraz daha detaylandırabilirmisiniz?

siz bu transistörleri elektronik yüktemi kullanıyorsunuz. elektronik yük haricinde güç harcamasının yüksek olmasının çok önemi yok zaten.

İndüksiyon ısıtma devresinde kullanmayı düşünüyorum elimde kendim yapmış olduğum 4 adet FDL100N50F mosfetli bir devre var bu devreden 4 kw. güç alabildim şimdiye kadar.Aynı devreden daha yüksek güçler alabilmek için daha güçlü mosfet yada modüller arıyorum.

Daha güçlü çıkış katları için devre yollarına besleme yapmak gerekecektir tabi.

igbt modüller ile daha önce hiç çalışmadım özdisan da şöyle bir modül buldum 3000 watt:

https://www.ozdisan.com/guc-yari-iletkenleri/igbt/igbt-moduller/2MBI600VD-060-50

Yabancı sitede de aşağıdaki modülü buldum 9000 watt olarak belirtmiş:

https://www.infineon.com/cms/en/pro...bt-modules-up-to-4500v-6500v/fz1200r45kl3_b5/

Fiyatlar akıl sağlığını bozacak cinsten tabi.

 

[hearthief]

Uygulamasını bildiğiniz için soruyorum, bu indüksiyon ısıtma devrelerinde çıkış ısıtma gücünü arttırmak için neler yapılıyor, yani bobin mi büyütülüyor, bobinlere uygulanan gerilim mi, frekans mı, nelerdir, aydınlatabilir misiniz..

 

[kesmez]

transistörün güç harcaması anahtarlama amaçlı kullanıldığın çok önemli değildir. kullandığınız anahtarlama transistörleri 100 watt bile ısınmaz.
sizin için önemli olan mosfetlerde rds direnci , igbt lerde istediğiniz akımdaki kollektör emiter gerilimidir.
rds veya kullandığınız akımdaki Vce ne kadar düşük olursa o kadar iyi.
ayrıca diğer önemli olan Qgate total şarz parametresidir. birimi nc yani nanokolomb. ne kadar düşük olursa o kadar iyi.

 

[0M42]

Uygulamasını bildiğiniz için soruyorum, bu indüksiyon ısıtma devrelerinde çıkış ısıtma gücünü arttırmak için neler yapılıyor, yani bobin mi büyütülüyor, bobinlere uygulanan gerilim mi, frekans mı, nelerdir, aydınlatabilir misiniz..

Ben yapmış olduğum devre de trimpot ile frekansı değiştirerek gücü arttırıyor yada düşürüyorum materyalin cinsine ve ebatına göre frekans bandını değiştirmek gerekiyor bendeki devre 10 khz. ile 60 khz arası ayarlanabiliyor ve hedeflediğim materyaller için bu dip frekans yetiyor.

transistörün güç harcaması anahtarlama amaçlı kullanıldığın çok önemli değildir. kullandığınız anahtarlama transistörleri 100 watt bile ısınmaz.
sizin için önemli olan mosfetlerde rds direnci , igbt lerde istediğiniz akımdaki kollektör emiter gerilimidir.
rds veya kullandığınız akımdaki Vce ne kadar düşük olursa o kadar iyi.
ayrıca diğer önemli olan Qgate total şarz parametresidir. birimi nc yani nanokolomb. ne kadar düşük olursa o kadar iyi.

Çok teşekkür ederim yukarıda silvestir kullanıcı isimli arkadaşının mesajını pek anlayamadım.

"Kağıt üzerinde 1300w 2500w dediğin değerler power dissipation. Yani mosfetin ısınarak atabilecek güç. Aldığın güç değil. Tabi bunun için sonsuz büyüklükte soğutucu gerekir "

Burada ne demek istedi? Ayrıca mosfet çıkış katı olan bir devrenin mosfetlerin gücünün sınıra dayanıp dayanmadığını osiloskop ile gözlemleyebilirmiyiz?

Böyle bir devrede alabileceğimiz maksimum gücü belirleyen unsur nedir peki? Mosfetlerin datasheet lerinde yazan watt lar alınan güçler değilse

 

[hearthief]

sistem mosfetleri kare dalga şeklinde sürüyor değil mi, çok yüklenip yüklenmediği, düşük ve yüksek yük gerilim dalga şekli, birde akım dalga şekli takip edilerek bozulmalarından değişimlerinden bulunabilir sanırım. mosfetlerin ısınmasıda göstergedir sanırım.

 

[kesmez]

Ayrıca mosfet çıkış katı olan bir devrenin mosfetlerin gücünün sınıra dayanıp dayanmadığını osiloskop ile gözlemleyebilirmiyiz?

Böyle bir devrede alabileceğimiz maksimum gücü belirleyen unsur nedir peki? Mosfetlerin datasheet lerinde yazan watt lar alınan güçler değilse

mosfet continuous drain akımını ölçersiniz. Vds voltajını ölçersiniz. ikiside mosfet limitleri içinde olmalıdır. ayrıca 1000 watt power dis. mosfet iyi soğutmazsanız 5 watt ta bile yanar. soğutmak için psu işlemcilerinde kullanıldığı gibi termal macun ve fan kullanın.