- Katılım
- 28 Tem 2021
- Mesajlar
- 31
- Puanları
- 1
şok bobini gibi görünüyor. 2 tarafına da 1000uf kondansatör (gnd ye) olması iyi olur.
diyotlar mosfetlerin Vgs voltajlarının daha hızlı boşalması ve mosfetin daha çabuk kesime gitmesi için.
yüksek voltaj beslemede değil bobin üzerinde oluşuyor. mosfetlerin yüksek voltaja dayanması yeterli. irf540 500v luk mosfet.peki bu bobin burada işlemcinin zarar görmesini mi engelliyor? Benim anlamak istediğim mosfetlerin çıkışından çok yüksek kv'lara ulaşılıyor ancak bu işlemci ve mosfet ler nasıl korunuyor.
Yani hocam burada indüktör , akımın gelip mikroişlemciye zarar vermesini mi engelliyor?İndiktörler artan devre akımına karsı azaltıcı etkisi ile akımın ani yükselişini engelliyor, buna bastırma devresi denir, 33 ohm direnç ile mosfetin Cgs capasitesinin dolma süresi biraz uzatılarak, elemanın iletime girme süresi uzatılıyor, buna yumuşak anahtarlama denir, diyot üzerinden gate yükü hızlica geri alınarak, hızlıca kesime alınıyor,,,,asıl derin konu 1 uf capasiteler ile booststrap gate driver yöntemi kullanılması,