Merhaba.Tüm transistörlerde iç yapıda olan bu ekstra güç kayıplarını diyotta 0.65-0.70 volt olan uygulanma öncesi ve uygulanma sonrası olan bu voltaj farkına da direk olarak benzetebilirsiniz.Belirli güçte seçilmiş diyottan (1N400X serisi gibi) dc akımı bir taraftan diğer tarafa geçirirken akım amper olarak da bu geçişte biraz da sınırlanır,fazlası aşırı ısınma ile geçemez,voltaj fazla olur da akım da uygun olursa eğer (I=V/R ile) diyodu veya sizn çöpe ettığınız merhum transistörlerde olduğu gibi zayi olur.Ayni transistörlerdeki doyma gibi P-N bölgesi bu elektron sayısının daha fazlasını da geçiremez,geçirirken de 0.70 voltluk voltaj farkına karşılık gelen bir değer kadar güç kaybı (Akım fazla olduğunda bunu 0.70 ile çarptığınızda boşa joule olayıyla iç elektronik yapıda olan kaybı siz düşünün doğal olarak tabi.) kaçınılmaz olacaktır,sizin sebebini bir türlü de çözemedğiniz,bizim sevgili transistörlerimizde yitip kaybolan ve heba olan güç de bundan kaynaklanıyor,başka bir sebep aramamak da lazım..Beyin fırtınası yine devam edecek..Ve forum ortamında günler bu şekilde de çok hoş bir şekilde hep de sürüp gidecek..Siz merakla da sormaya devam ettikçe..Kolay gelsin.